Infineon Technologies:业界首个汽车级SiC六组动力模块,用于电动汽车牵引逆变器——使用HybridPACK™Drive CoolSiC™轻松升级电源

英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)近日推出了一款采用CoolSiC™MOSFET技术的新型汽车电源模块

英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)近日推出了一款采用CoolSiC™MOSFET技术的新型汽车电源模块。在今年的虚拟PCIM贸易展上,英飞凌将展示新的HybridPACK™Drive CoolSiC™,这是一种全桥模块,具有1200 V阻塞电压,为电动汽车(EV)的牵引逆变器进行了优化。该电源模块基于汽车CoolSiC沟槽MOSFET技术,用于高功率密度和高性能应用。这为逆变器提供了更高的效率,更长的续航里程和更低的电池成本,特别是800v电池系统和更大的电池容量的车辆。

现代汽车集团电气化开发团队负责人Jin-Hwan Jung博士表示:“电动全球模块化平台(E-GMP)的800v系统代表了下一代电动汽车减少充电时间的技术基础。”“通过使用基于英飞凌酷派SiC电源模块的牵引逆变器,我们能够将车辆的行驶里程提高5%以上,因为与基于硅的解决方案相比,这种SiC解决方案的损耗更低,因此效率提高了5%以上。”

英飞凌创新和新兴技术主管Mark Münzer表示:“汽车电动汽车市场已变得高度活跃,为创意和创新奠定了基础。”“随着碳化硅器件价格的大幅下降,碳化硅解决方案的商业化将会加速,从而产生更多采用碳化硅技术的低成本平台,以提高电动汽车的续航里程。”

HybridPACK Drive于2017年首次推出,采用英飞凌的硅EDT2技术,经过特别优化,可在真实的驾驶循环中实现最佳效率。在750v和1200v级范围内,它提供了可扩展的功率范围,从100kw到180kw。该产品是英飞凌市场领先的电源模块,在20多个电动汽车平台上的出货量超过100万件。新的CoolSiC版本是基于英飞凌的碳化硅沟槽MOSFET结构。与平面结构相比,沟槽结构可以获得更高的细胞密度,从而获得最佳的优点。因此,沟槽mosfet可以在较低的栅氧化场强度下运行,从而提高可靠性。

该电源模块提供了一个简单的高端路径,从硅到碳化硅与相同的足迹。这使得逆变器的设计可以实现更高的功率,高达250 kW的1200 V级,更大的驾驶范围,更小的电池尺寸和优化的系统尺寸和成本。为了在不同的功率等级下提供最佳的性价比,该产品有两种不同芯片数量的版本,在1200v级别中有400a或200a直流额定值版本。

CoolSiC汽车MOSFET技术

第一代CoolSiC汽车MOSFET技术被优化用于牵引逆变器,专注于实现最低的导通损耗,特别是在部分负载条件下。结合低开关损耗的碳化硅mosfet,与硅igbt相比,这使得逆变器工作效率提高。

除了优化性能,英飞凌非常重视可靠性。汽车CoolSiC™mosfet的设计和测试实现了短路鲁棒性和高度的宇宙射线和栅氧化鲁棒性,这是设计高效和可靠的汽车牵引逆变器和其他高压应用的关键。HybridPACK Drive CoolSiC动力模块完全符合AQG324汽车动力模块标准。

可用性

新的HybridPACK Drive CoolSiC已经开始生产,并将于2021年6月上市。更多信息请访问www.infineon.com/sicatv.该产品将在英飞凌的虚拟电源会议上展示,这是对“PCIM欧洲数字时代”的补充。

来源:英飞凌科技